Lien-So-Nicolet Yöntemiyle Antimon Katkılı Tio2/N-Si Metal-Yalıtkan-Yarıiletken Diyodun Seri Direnç Değerinin Belirlenmesi

Abstract

Bu çalışmada, sol-jel daldırma ile kaplama yöntemiyle antimon katkılı TiO2/n-Si MIS diyot oluşturulmuş ve yapının idealite faktörü (n), engel yüksekliği   b0  ve seri direnç değerleri (R) standart I-V karakteristiği ve Lien-So-Nicolet metodu ile analiz edilmiştir. Her iki yöntemden de elde edilen idealite faktörü ve seri direnç değerlerinin birbiriyle uyumu karşılaştırılmış ve tartışılmıştır. I-V karakteristiklerinden hesaplanan seri direnç değerinin, Lien-So-Nicolet metodundan elde edilen değere göre çok büyük olduğu görülmüştür. Bu durum, I-V karakteristikleri diyotun ileri beslemde lineer olmayan bölgelerinde geçerli olurken, Lien-So-Nicolet metodunun ileri beslemin tüm bölgelerinde geçerli olmasına atfedilebilir.

In this study, antimony-doped TiO2/n-Si MIS diode has been fabricated by solgel dip coating technique and the ideality factor (n), barrier height   b0  and series resistance (R) values of the structure have been analysed by standart I-V characteristics and Lien-So-Nicolet method. The ideality factor and series resistance values obtained from both methods were compared and discussed in accordance with each other. It is seen that the value of series resistance obtained from the I-V characteristics is much bigger than the value obtained from the Lien-So-Nicolet method. This situation can be attributed that Lien-So-Nicolet method is valid for the full forward bias while I-V characteristics are valid for the non-linear region of the forward bias.