Bu çalışmada, sol-jel daldırma ile kaplama yöntemiyle antimon katkılı TiO2/n-Si
MIS diyot oluşturulmuş ve yapının idealite faktörü (n), engel yüksekliği b0
ve seri direnç değerleri (R) standart I-V karakteristiği ve Lien-So-Nicolet metodu
ile analiz edilmiştir. Her iki yöntemden de elde edilen idealite faktörü ve seri
direnç değerlerinin birbiriyle uyumu karşılaştırılmış ve tartışılmıştır. I-V
karakteristiklerinden hesaplanan seri direnç değerinin, Lien-So-Nicolet
metodundan elde edilen değere göre çok büyük olduğu görülmüştür. Bu durum,
I-V karakteristikleri diyotun ileri beslemde lineer olmayan bölgelerinde geçerli
olurken, Lien-So-Nicolet metodunun ileri beslemin tüm bölgelerinde geçerli
olmasına atfedilebilir.
In this study, antimony-doped TiO2/n-Si MIS diode has been fabricated by solgel
dip coating technique and the ideality factor (n), barrier height b0 and
series resistance (R) values of the structure have been analysed by standart I-V
characteristics and Lien-So-Nicolet method. The ideality factor and series resistance values obtained from both methods were compared and discussed in
accordance with each other. It is seen that the value of series resistance obtained
from the I-V characteristics is much bigger than the value obtained from the
Lien-So-Nicolet method. This situation can be attributed that Lien-So-Nicolet
method is valid for the full forward bias while I-V characteristics are valid for the
non-linear region of the forward bias.