Investigation of Effect of Different Anodisation Current on Porous Silicon By Stm

Abstract

Effect of different anodisation current on porous silicon is investigated by STM (Scanning Tunneling Microscope). Some porous silicon samples were prepared from p-type, boron doped, [100]- oriented silicon wafers with the resistivity of 5 .cm. A porous layer was obtained by electrochemical etching in hydrofluoric acid (HF), water, ethanol solution with a 1:1:2 ratio. During the etching, the applied anodisation current has been changed and the effect of anodisation current on porous structure was investigated. Therefore after the etching the STM images of porous silicon have been taken. During the etching process, it was observed that when the applied anodisation current rises, the thickness of wires increases with porosity thickness. It was also observed that the porous depth increases with the applied anodisation current.

Bu çalışmada, farklı anodizasyon akımlarının gözenekli silisyum üzerine etkisi Taramalı Tünelleme Mikroskobu (STM) ile araştırılmıştır. Gözenekli silisyum örnekleri, Boron katkılı, p-tipi, *100+ yönlü 5. dirençli silisyum pullardan elde edilmiştir. Gözenek tabakası 1:1:2 oranlarındaki hidroflorik (HF) asit, su, etanol çözeltisi ile elektromekanik aşındırma yoluyla elde edilmiştir. Aşındırma süresince uygulanan anodizasyon akımı değiştirilmiş ve anodizasyon akımının gözenekli yapı üzerine etkisi araştırılmıştır. Aşındırma sonrasında gözenekli silikonun STM görüntüsü alınmıştır. Aşındırma işlemi süresince uygulanan anodizasyon akımı arttığında, gözenek yapısının boyutları (derinlik ve genişlik) da arttığı gözlemlenmiştir.