ZnO kristaline iyon dikme yöntemiyle metal aşılanması

Abstract

ÖZET Anahtar Kelimeler: ZnO kristali, iyon dikme, girme mesafesi, nükleer durdurma. İyon dikme maddelerin yüzey özelliklerim geliştirmede kullanılan yöntemlerden biridir. Dikilen iyonların yoğunluk ve derinliğinin kolayca kontrol edilebilmesi gibi bazı teknolojik üstünlüklere sahip olması sebebiyle son yıllarda bilimde uygulama alam bulmuştur. Bu yöntemle arzu edilen element uygun enerji ve doz seçimiyle istenilen yapıya sokulabilir. İyon dikme yöntemi birçok fiziksel kavram üzerinde çok sayıda etkiye sahiptir. Sadece mekanik ve/veya kimyasal özelliklerini değiştirmekle kalmayıp aynı zamanda malzemelerin elektriksel ve optik özelliklerini geliştirmede de kullamlabilmektedir. İyon dikme yöntemi diğer tekniklere göre dozun ve konumun tam kontrolü ve kristal safsızlık ve bozukluklarına duyarsız olma gibi bir takım avantajlara sahiptir. Hesaplamalar SRIM programında yapılmıştır. SRIM, (maddedeki iyonların durdurulması ve girme mesafeleri) iyon atom çarpışmalarının kuantum mekaniksel davranışlarını, (10 eV-2 GeV/akb) aralığında iyonların madde içinde durdurulması, aldıkları mesafenin hesaplanmasını içeren programdır. vııı

METAL ION IMPLANTATIONS INTO ZnO CRYTALS SUMMARY Key words: ZnO crystal, ion implantation, range, nuklear stopping. Ion implantation is one of the simplest methods for modifying the surface properties of materials. Since it has some technological merits, i.e. providing easy control of depth and concentrations of implants, it has found many applications in science for the last few decades. This method provides a way of inserting any desired element into the structure as trace impurities by appropriate selection of its energy and dose. Ion implantation has several effects on many physical aspects. It can not only change the mechanical and/or chemical properties but it is also used to modify the elektrical and optical properties of materials. SRIM is a group programs which calculate the stopping and range of ions (10 eV- 2 GeV/akb) into matter using a full quantum mechanical treatment of ion-atom collision. IX