dc.contributor.advisor |
Yardımcı Doçent Doktor Gürsel Düzenli |
|
dc.date.accessioned |
2021-03-24T11:58:18Z |
|
dc.date.available |
2021-03-24T11:58:18Z |
|
dc.date.issued |
2007 |
|
dc.identifier.citation |
Baraklı, Burhan . (2007). Yarıiletken elemanların model parametrelerinin çıkarımına yönelik yeni bir yaklaşım. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi).Sakarya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü; Sakarya. |
|
dc.identifier.uri |
https://hdl.handle.net/20.500.12619/81385 |
|
dc.description |
06.03.2018 tarihli ve 30352 sayılı Resmi Gazetede yayımlanan “Yükseköğretim Kanunu İle Bazı Kanun Ve Kanun Hükmünde Kararnamelerde Değişiklik Yapılması Hakkında Kanun” ile 18.06.2018 tarihli “Lisansüstü Tezlerin Elektronik Ortamda Toplanması, Düzenlenmesi ve Erişime Açılmasına İlişkin Yönerge” gereğince tam metin erişime açılmıştır. |
|
dc.description.abstract |
Anahtar kelimeler: Yarıiletkenler, Diyot, BJT, Yarıiletken Spice Modelleri veParametreleriGünümüzde en yaygın kullanılan devre simülasyon programı SPICE programıdır. Bunedenle SPICE programındaki yarıiletken model parametrelerin dogru veuygulanabilir bir sekilde çıkarımı önemlidir.Bu tez çalısmasında, SPICE programının diyot ve BJT için referans aldıgı modellerinparametre çıkarımına yönelik çalısma yapılmıstır. Önerilen model ileparametrelerinin çıkarımı için uygulanabilirligi kolay, dogrulugu yüksek ve sonucaulasması bakımından hızlı olan bir yöntem sunulmustur.Parametre çıkarım metodu (algoritması) için, yarıiletkenler ile ilgilikarakteristiklerden faydalanılmıstır. Metodun sonunda, parametrelerin tüm bölgeleregöre degisimi inceleyen bir denklem sunulmustur. Bu denklem sayesinde,parametrelerin etkin oldugu bölge daha belirgin hale getirilmis ve degisimdenfaydalanılarak parametrelerin degerleri belirlenmistir. Önerilen metodun kullanılmasısonucunda, herhangi bir ön bilgi olmadan, hem parametrenin degeri hem de etkinoldugu bölgenin belirlenmesi saglanmaktadır. |
|
dc.description.abstract |
Key Words: Semiconductors, Diode, BJT, Semiconductor Spice Models andParametersToday most used electronic devices simulation program is SPICE. For this reasonextraction of semiconductor model parameters truly and effectively is important.In this study,parameter extraction of model for diode and bjt that is referenced inSPICE program is made. Offered method for extraction of model?s parameters iseasy to use, correctness of results are high and is fast for reaching results.For algorithm of parameter extraction method used information aboutsemiconductors charecteristical datas. At the and of study a aquation that examinesvariation of parameters in all regions is offered. By using equation found region thatparemeters are more active than other region are become more clear and using thisvariation parameters values are set. Result of using offered method inspite of the thefact that there is no any pre information about parameters, parameters value and alsoparameters active region determination is provided. |
|
dc.format.extent |
XIV, 76 yaprak ; 30 cm. |
|
dc.language |
Türkçe |
|
dc.language.iso |
tur |
|
dc.publisher |
Sakarya Üniversitesi |
|
dc.rights.uri |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
|
dc.rights.uri |
http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
|
dc.subject |
Yarı iletkenler |
|
dc.subject |
Diyot |
|
dc.subject |
BJT |
|
dc.title |
Yarıiletken elemanların model parametrelerinin çıkarımına yönelik yeni bir yaklaşım |
|
dc.type |
masterThesis |
|
dc.contributor.department |
Sakarya Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Elektrik-Elektronik Mühendisliği Anabilim Dalı, Elektronik Bilim Dalı |
|
dc.contributor.author |
Baraklı, Burhan |
|
dc.relation.publicationcategory |
TEZ |
|