Bipolar Jonksiyon Tranzistor’un PSPICE programı kullanılarak modellenmesi ve hata analizi

Abstract

ÖZET Anahtar kelimeler: Pspice, BJT, karakteristik, hata analizi, BJT DC akım denklemleri, Pspice BJT modeli, bipolar tranzistor model parametreleri. Günümüzde bir çok alanda olduğu gibi elektronik endüstrisinde de gelişmeler kaydedilmektedir. Elektronik elemanlarının çeşitliliğinin artması ve yeni özellikte farklı tür elektronik elemanlarının üretilmesi Elektronik Teknolojisinin ilerlemesine katkıda bulunmaktadır. Elektronik elemanların modellenmesi ve bilgisayar programlan ile simülasyonu gerçeklenerek elektronik dünyasındaki AR-GE faaliyetleri ve teknik eğitim kapasitesi her geçen gün artmakta ve iyileşmektedir. Bu tez çalışmasında, BJT (Bipolar Jonksiyon Tranzistor) elemanının Pspice simülasyon programında modellenmesi üzerinde ve simülasyon ile ve verilen denklemler ile pratikten bulunan sonuçlar arasındaki hata değerlerinin incelenmesi üzerine çalışılmıştır. Pspice simülasyon programında nasıl devre tanımı ve analizi yapıldığına değinilmiştir. Bipolar tranzistorun DC akım karakteristikleri incelenmiştir. Modelleme iyileştirme çalışması için endüstride kullanılan BC337 tranzistor modeli kullanılmıştır. BC337 tranzistoruna ait data sheet'ten, BJT DC akım denklemlerinden, Pspice simülasyon programından elde edilen çıkış karakteristikleri incelenerek aradaki hata paylan belirlenmiştir. Bunlar arasındaki farklar grafiksel olarak yorumlanarak fark paylan (hata oranlan) çıkartılıp ek bir eşitlik bulunarak, Pspice analiziyle bulunan BJT çıkış karakteristik sonuçlarını BJT DC akım denklemleriyle bağdaştıran modelleme denklemi elde edilmiştir.

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR MODELING AND ERROR ANALYSIS BY USING PSPICE PROGRAM SUMMARY Keywords: Pspice, BJT, characteristics, error analyses, BJT equations for DC current, BJT model of Pspice, bipolar transistor model parameters. Today in electronics endustry is developed as in alot of developing area. Variaty of elektronics devices increase and different kind of elektronics devices with new characteristics are producted, this event contribute to improvement of Elektronics Techonology. Activities of Research-Developing and capacity of technical education and training are recovering and growing day by day, by modeling elektronics devices and by simulating these models with computer programs. In this thesis, BJT (Bipolar Junction Transistor) is tried to modeling in Pspice simulation program and studied among simulation results, BJT equations results and practise results. How the circuit is defined and analysed in Pspice simulation program is mentioned. Bipolar transistor equations and characteristics for DC current are examined. For improving of modeling, type of BC337 transistor is used. Output characteristics that are got from BC337 data sheet, BJT equations for DC current, Pspice Program analysis are examined so differences and errors are determined. Rates of difference (error) are determined and is found out convenient modeling equation that mathces BJT output characteristics of Pspice simulation and BJT euations for DC current by creating additional equation by commenting graphically on differences and finding out error partitions among these. XI