Kapı Dielektriği SİO2 Olan Poly(3hexylthıophene) Organik Alan Etkili Transistör

Abstract

Bu çalışmada Organik İnce Film Transistör (OTFT) üretiminde kullanımı elverişli olan inorganik dielektrik katman olarak SiO2 kullandık ve bu dielektrik katman üzerine döndürerek kaplama yöntemi ile Poly(3-Hexilthiophene) P3HT organik yarı iletken (OSC) molekülünü kapladık. Kapı, kaynak ve oluk kontaklar için yine termal buharlaştırma yöntemi ile Ag kapladık. P3HT OSC için μFET=0.103 cm2/Vs alan etkili mobilite değerini, Ion/Ioff=101 açma/kapama (Ion/Ioff) akım oranını VT=8V eşik voltajı değerini bulduk

In this study we have used SiO2, which is actually a useful material as a inorganic dielectric layer for Organic Thin Film Transistor (OTFT) production, and then we have coated the Poly(3-Hexilthiophene) P3HT organic semiconductor (OSC). We coated the gate, source and drain contacts with Ag using thermal evaporation method. Our study has shown that on mobility value (μFET), treshold voltage (VTh) and on/off current ratio (Ion/Ioff). For P3HT OSC, we have reached the value as following; μFET=0.103 cm2/Vs field effect mobility value, Ion/Ioff=101 current ratio, VT=8V threshold voltage.