Yeni sentez kobalt ftalosiyanin tabanlı organik transitör üretimi ve elektriksel karakterizasyonu

İlik, Cihat

DSpace Home
→
Enstitüler / Institutes
→
Fen Bilimleri Enstitüsü / Instıtute of Scıence and Technology
→
Tez Koleksiyonu
→
Yüksek Lisans Tezleri Koleksiyonu
→
View Item

dc.contributor.advisor	Doçent Doktor Sadık Bağcı.
dc.date.accessioned	2021-03-16T06:54:43Z
dc.date.available	2021-03-16T06:54:43Z
dc.date.issued	2017
dc.identifier.citation	İlik, Cihat. (2017). Yeni sentez kobalt ftalosiyanin tabanlı organik transitör üretimi ve elektriksel karakterizasyonu. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi).Sakarya Üniversitesi Sosyal Bilimler Enstitüsü, Sakarya.
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/20.500.12619/79059
dc.description	06.03.2018 tarihli ve 30352 sayılı Resmi Gazetede yayımlanan “Yükseköğretim Kanunu İle Bazı Kanun Ve Kanun Hükmünde Kararnamelerde Değişiklik Yapılması Hakkında Kanun” ile 18.06.2018 tarihli “Lisansüstü Tezlerin Elektronik Ortamda Toplanması, Düzenlenmesi ve Erişime Açılmasına İlişkin Yönerge” gereğince tam metin erişime açılmıştır.
dc.description.abstract	Yeni sentez kobalt ftalosiyanin (CoPc) tabanlı organik alan etkili transistör (OFET) ve organik ince film transistör (OTFT) dielektrik materyal kapı olarak SiO2 ile oluşturuldu. 1-Dodecanol parçasını içeren yeni sentez kobalt ftalosiyanin 1H NMR, FT-IR, MALDI-TOF/MS, UV-Vis spektral ve termal analiz yöntemleriyle karakterize edildi. Sonrasında kompozit yarıiletken materyal ve yeni sentez CoPc tabakalı OTFT'nin elektriksel karakterizasyonu incelendi. Termal buharlaştırma yöntemiyle cihazın kaynak ve savak kısmı için Ag, kapı kısmı için de Au kaplandı. CoPc tabaka spin kaplama metoduyla hazırlandı. Yapılan ölçümler sonucunda CoPc OTFT'nin doygunluğu ( µFET ) 2,01x10-1 cm2/Vs mertebesinde olduğu görüldü. Ayrıca cihazın Ion/Ioff ve VT değerleri sırasıyla 2x102 ve -2,25 V olarak hesaplandı.Sonuç olarak yapılan çalışma bize yeni sentez CoPc'nin OTFT üzerinde kayda değer bir performansa sahip olduğunu göstermiştir. Anahtar kelimeler: OTFT, OFET, kobalt ftalosiyanin, SiO2, kompozit yarıiletken, mobilite
dc.description.abstract	An organic thin ﬁlm transistor (OTFT) and organic field effect transistor (OFET), based on novel cobalt phthalocyanine (CoPc) was fabricated with SiO2 as the gate dielectric material. Novel alpha-substituted cobalt phthalocyanine bearing 1-Dodecanol moiety has been characterized by 1H NMR, FT-IR, MALDI-TOF/MS, UV-Vis spectral and thermal analysis. Subsequently, the electrical characterization of the composite semiconductor material and the new synthesized CoPc layered OTFT was investigated. Au were deposited for gate and Ag were deposited for source and drain contacts of the device by using thermal evaporation method. CoPc layer was prepared with spin coater method. The CoPc OTFT exhibited saturation at the order of µFET of 2,01x10-1 cm2/Vs. Ion/Ioff and VT of this device were calculated 2x102 and -2,25 V, respectively. The result of this study shows us that the new synthesis CoPc has a remarkable performance on OTFT. Keywords: OTFT, OFET, cobalt phthalocyanine, SiO2, composite semiconductor, mobility
dc.language	Türkçe
dc.language.iso	tur
dc.publisher	Sakarya Üniversitesi
dc.rights.uri	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subject	Yarıiletkenler
dc.subject	Organik alan etkili transistörler.
dc.title	Yeni sentez kobalt ftalosiyanin tabanlı organik transitör üretimi ve elektriksel karakterizasyonu
dc.type	masterThesis
dc.contributor.department	Sakarya Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı,
dc.contributor.author	İlik, Cihat
dc.relation.publicationcategory	TEZ