Yeni sentez kobalt ftalosiyanin (CoPc) tabanlı organik alan etkili transistör (OFET) ve organik ince film transistör (OTFT) dielektrik materyal kapı olarak SiO2 ile oluşturuldu. 1-Dodecanol parçasını içeren yeni sentez kobalt ftalosiyanin 1H NMR, FT-IR, MALDI-TOF/MS, UV-Vis spektral ve termal analiz yöntemleriyle karakterize edildi. Sonrasında kompozit yarıiletken materyal ve yeni sentez CoPc tabakalı OTFT'nin elektriksel karakterizasyonu incelendi. Termal buharlaştırma yöntemiyle cihazın kaynak ve savak kısmı için Ag, kapı kısmı için de Au kaplandı. CoPc tabaka spin kaplama metoduyla hazırlandı. Yapılan ölçümler sonucunda CoPc OTFT'nin doygunluğu ( µFET ) 2,01x10-1 cm2/Vs mertebesinde olduğu görüldü. Ayrıca cihazın Ion/Ioff ve VT değerleri sırasıyla 2x102 ve -2,25 V olarak hesaplandı.Sonuç olarak yapılan çalışma bize yeni sentez CoPc'nin OTFT üzerinde kayda değer bir performansa sahip olduğunu göstermiştir. Anahtar kelimeler: OTFT, OFET, kobalt ftalosiyanin, SiO2, kompozit yarıiletken, mobilite
An organic thin film transistor (OTFT) and organic field effect transistor (OFET), based on novel cobalt phthalocyanine (CoPc) was fabricated with SiO2 as the gate dielectric material. Novel alpha-substituted cobalt phthalocyanine bearing 1-Dodecanol moiety has been characterized by 1H NMR, FT-IR, MALDI-TOF/MS, UV-Vis spectral and thermal analysis. Subsequently, the electrical characterization of the composite semiconductor material and the new synthesized CoPc layered OTFT was investigated. Au were deposited for gate and Ag were deposited for source and drain contacts of the device by using thermal evaporation method. CoPc layer was prepared with spin coater method. The CoPc OTFT exhibited saturation at the order of µFET of 2,01x10-1 cm2/Vs. Ion/Ioff and VT of this device were calculated 2x102 and -2,25 V, respectively. The result of this study shows us that the new synthesis CoPc has a remarkable performance on OTFT. Keywords: OTFT, OFET, cobalt phthalocyanine, SiO2, composite semiconductor, mobility
