Se:InP(110) ve Te.:InP(110) yüzeylerinin yapısal ve dinamik özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Bu tezde, Se:InP(110) ve Te:InP(110) yüzeylerinin yapısal ve dinamik özellikleridüzlem dalga yapay potansiyel metodu, yoğunluk fonksiyon teorisinin yerelyoğunluk yaklaşımı, ve lineer tepki yaklaşımı yardımı ile araştırıldı. Se:InP(110)yüzeyi için hesaplanan yapısal parametrelerin daha önce ab initio yöntemiyle eldeedilen sonuçlarla iyi bir uyum içinde olduğu görüldü.Yapısal özelliklere ek olarak, bu yüzeyler için fonon dağılımı eğrileri tespit edildi vetartışıldı. Ayrıca Se:InP(110) ve Te:InP(110) yüzeyleri için katkısız III-V(110)yüzeylerinde tanımlanan dönme, bağ germe ve yüzey seviyesinde zik-zak zincirmodları hesaplandı. Se:InP(110) ve Te:InP(110) yüzeylerinin fonon modlarınınenerjilerinin katkısız InP(110) yüzeyinin fonon modlarının enerjilerinden daha düşükolduğu görüldü. Bu enerji farkı, bağ uzunluklarının ve Se, Te atomlarının kütleleri ileP atomunun kütlesi arasındaki farktan kaynaklanmaktadır. Se:InP(110) veTe:InP(110) yüzeylerinde yüzey akustik fonon modlarının genellikle en üst ikitabakadaki atomların titreşiminden kaynaklandığı görüldü. Son olarak bu tezdeSe:InP(110) ve Te:InP(110) yüzeylerinin seçilen fonon modlarının karakteristikatomik yer değiştirmeleri karşılaştırıldı.

In this thesis, we have investigated the structural and dynamical properties of theSe:InP(110) and Te:InP(110) surfaces, by employing the plane wave pseudopotentialmethod, local density approximation of the density functional theory, and a linearresponse approach. The calculated structural parameters for the Se:InP(110) surfaceare in good agreement with previous ab initio results.In addition to the structural properties, we have presented and discussed the phonondispersion curves for these surfaces. The rotational, bond-stretching, surface layerzig-zag chain modes identified for the clean III-V(110) surfaces have also beencalculated for Se:InP(110) and Te:InP(110) surfaces. A comparison of surfacesphonons on Se:InP(110) and Te:InP(110) shows that these modes lie at energieslower than those for the clean InP(110) surface. The energy differences in thesephonon modes can be linked to different bond lengths and the mass differencebetween Te (or Se) and P atoms. For the Se:InP(110) and Te:InP(110) surfaces, wehave observed that surface acoustic phonon modes are mainly localized on the toptwo layer atoms. At the end of this thesis, the chracteristic atomic displacementpatterns of selected phonon modes on the Se:InP(110) and Te:InP(110) surfaceshave been compared.