Moleküler demet epitaksi (MBE) yöntemi özellikle yarıiletken malzemelerin üretiminde kullanılan bir yöntemdir. MBE tekniği farklı bileşimlerin ve alaşımların epitaksiyel olarak büyümesine imkan tanır.Bu çalışmada Pd-Zr alaşımlarının MBE yöntemi ile ince film şeklinde üretimi sağlanmış ve ısıl işlemlerine bağlı olarak tane büyümesi faz değişimleri incelenmiştir. Pd-Zr alaşımı Si wafer üzerine MBE yöntemiyle biriktirilmiştir. Pd80-20Zr, Pd81-19Zr, Pd83-17Zr ve Pd85-15Zr ince filmleri 60°C'de 1 saat ön ısıtılmış, sonra 400°C ve 800°C'de ısıl işleme tabi tutulmuştur.Isıl işlem öncesinde ve sonrasında elde edilmiş ince filmlerin karakterizasyon işlemleri taramalı elektron mikroskobu (SEM), X-ışınları difraktometresi (XRD) ve EDX analizi kullanılarak gerçekleştirilmiştir.
Molecular beam epitaxy is also used for the deposition of some types of semiconductors. MBE (molecular beam epitaxy) techniques allow the epitaxial growth of different compounds.In this study, thin films of Pd-Zr alloys have been manufactured by MBE techniques and the grain growth and phase changes have been analyzed due to the heat treatment processes. The thin films of Pd-Zr alloy have been deposited onto Si wafers. After pre heating of Pd80-20Zr, Pd81-19Zr, Pd83-17Zr and Pd85-15Zr thin films at 60°C for 1 hour, heat treatment processes we made at 400°C and 800°C for 24 hours.The characterization of the manufactured thin films before and after heat treatment processes have been performed by scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffractometer (XRD) and EDX analyses.
