Bu çalışma, TlGaSe2 kristalinin yüksek sıcaklıkta iletkenlik ve durulma mekanizmasının incelenmesini kapsamaktadır.Ferroelektrik TlGaSe2 kristalinin empedansının reel ve imajiner kısımlarının sıcaklığa ve frekansa bağlılığı incelenmiştir. Ölçümler 298?468 K ile 100 Hz?80 kHz aralığında ve empedans spektroskopi yöntemi ile gerçekleştirilmiştir. Malzemenin durulma olaylarının gerçekleştiği sıcaklıklar tayin edilmiştir. Bunun yanı sıra aynı sıcaklık ve frekans aralığında iletkenlik mekanizması incelenmiş ve iletkenlik davranışı CBH modeli ile açıklanmıştır.Son olarak, elde ettiğimiz deneysel veriler teorik formülasyonlara fit edilmiş ve bu fit işlemleri sonunda sıcaklığa bağlı durulma zamanı, sıçrama yüksekliği ve sıçrama mesafesi hesaplanmıştır.Anahtar kelimeler: Kompleks Empedans, durulma zamanı, sıçrama yüksekliği, sıçrama mesafesi
In this work, relaxation and conductivity mechanism of layered ferroelectric TlGaSe2 crystal investigated at high temperature.The measurements of the frequency and temperature dependence of real and imaginary part of impedance for ferroelectric TlGaSe2 were carried out at the temperature range 298?468 K and frequency range 100 Hz- 80 kHz. In this frequency and temperature interval, the conductivity mechanism of material has been explained.with.CBH.model.Finally, the data getting from experimental were fitted to the theory and the temperature dependence of the relaxation time, hopping height and hopping distance were.calculated.Key Words: Complex Impedance, Relaxation time, Hopping height, Hopping distance
