MCHF metodu ile silisyumun bazı iyon hallerinin enerji seviyelerinin incelenmesi

Abstract

ÖZET Anahtar kelimeler: MCHF metodu, relativistik düzeltmeler, dalga boyu, ağırlıklı osilatör şiddeti, geçiş olasılıkları. Bu çalışmada, Breit-Pauli relativistik düzeltmeler ile çok konfigürasyonlu Hartree- Fock (MCHF-Multiconfiguration Hartree-Fock) yaklaşıklığı kullanılarak, Li benzeri ve He benzeri silisyuma (Si XII ve Si XIII) ait bazı uyarılmış seviyeler için enerjiler, dalga boylan, ağırlıklı osilatör şiddeti ve geçiş olasılıktan hesaplanmaktadır. Bölüm1, 2, 3, 4 ve 5' de, Si XII ve Si XIII hakkında çalışmalar, çok elektronlu atomlar için enerji seviyeleri, çok konfigürasyonlu Hartree-Fock metodu, Breit-Pauli relativistik düzeltmeler ve geçiş olasılıkları hakkında ön bilgiler verilmektedir. Dalga fonksiyonları ve bazı relativistik düzeltmeler MCHF-BP atomik yapı paketi kullanılarak elde edilmektedir. Bölüm 6' da elde edilen sonuçlar diğer baza deneysel ve teorik çalışmalarla karşılaştırılmaktadır. vı

INVESTIGATION OF ENERGY LEVELS FOR SOME SI IONS WITH MCHF METHOD SUMMARY Keywords: MCHF method, relativistic corrections, wavelengths, weighted oscillator strengths, transition probabilities. In this study, energies, wavelengths, weighted oscillator strengths and transition probabilities calculations for some excited levels in Li-like and He-like silicon (Si XII and Si XIII) have been calculated using multiconfiguration Hartree-Fock method with Breit-Pauli relativistic corrections. Preliminaries on works for Si XII and Si XIII, energy levels for many electron atoms, multiconfiguration Hartree-Fock method, Breit-Pauli relativistic corrections and transition probabilities are given in Chapters 1, 2, 3, 4 and 5. The wavefunctions and some relativistic corrections have been obtained using MCHF-BP atomic package. The results have been compared with some other and experiments and calculations works in Chapter 6. vn