Bu çalışmada, Ti / Si / C tozları basınçsız sinterleme yöntemi ile argon atmosferinde sinterlenmiştir. Ayrıca farklı sıcaklıklarda ve sürelerde sinterleme işlemi yapılmıştır. Böylece farklı sıcaklıklarda ve sürelerde Ti3SiC2 oluşumun etkisi incelenmiştir. Bu amaç doğrultusunda, sinterlenmiş numuneler kütle kaybı/artışı ölçülmüş, XRD ve SEM analizleri yapılmıştır. Çalışmalar sonucunda, Ti3SiC2 oluşumu görülmüştür.Sıcaklık, sinterleme süresinin ve başlangıç karışımına stokiometrik orandan fazla karbonun katılması Ti3SiC2 oluşuma etkisi gözlenmiştir. Fazla karbonun, sıcaklığın ve sürenin etkisi ile oluşan Ti3SiC2'nin ayrışmasıyla TiC ve SiC bileşiklerinin oluştuğu görülmüştür. Yapılan XRD incelemelerinin sonucunda, sıcaklık, süre, yapıdaki fazla karbon ve kullanılan grafit pota Ti3SiC2 oluşumunun azalmasına neden olmuştur. Yapılan basınçsız sinterleme sonucunda elde edilen numunelerde 1300˚C'de 2-4 saatlik numunede ve 1350˚C'de 4 saat sinterlenmiş numunede Ti3SiC2 oluşumu gözlenmişir. 1400-1500˚C sıcaklıklarında C, TiC ve SiC olduğu görülmüştür.
In this work, Ti/Si/C powders were sintered under argon atmosphere by pressureless sintering method. Sintering was also carried out at different temperatures and durations. Thus, the effect of Ti3SiC2 formation at different temperatures and durations was investigated. For this purpose, mass loss / increase of sintered samples were measured, XRD and SEM analyzes were performed. As a result of the work, formation of Ti3SiC2 was observed. Ti3SiC2 formation effect was observed in the temperature, the time of sintering and the incorporation of stoichiometric excess carbon in the starting mixture. TiC and SiC compounds were formed by decomposition of Ti3SiC2 formed by excess carbon, temperature and time effect. As a result of the XRD investigations made, temperature, time, excess carbon in the structure and used graphite crucible cause effect the formation of Ti3SiC2. Ti3SiC2 formation was observed in the samples obtained as a result of the pressureless sintering in the 2-4 hour sample at 1300˚C and in the sample sintered at 1350˚C for 4 hours. C, TiC and SiC have been found at temperatures of 1400-1500 °C.
